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Interfaces et dispositifs
La compréhension fondamentale des interfaces semiconducteur/semiconducteur, métal/métal, semiconducteur/métal constitue un enjeu majeur dans les dispositifs optoélectroniques et dans les domaines de l’énergie, du patrimoine … Le groupe EPI étudie ces interfaces en explorant leurs réactivités à l’échelle micro/nanométrique via leurs stabilités (corrosion, défaillance, passivation…). Pour cela, les propriétés optoélectroniques des interfaces sont étudiées et modulées grâce au contrôle de la chimie de surface à l’échelle nanométrique (XPS, sonde nano Auger…), en combinant (photo)électrochimie, bombardements ioniques et vieillissements accélérés. Ces interfaces peuvent être également modifiées via des dissolutions sélectives en milieu aqueux ou par des dépôts nanométriques métalliques et/ou semiconducteurs par (photo)électrochimie.
Passivation de semiconducteurs
La forte réactivité chimique de surface d’InP impose un traitement de passivation. EPI contrôle cette passivation à l’échelle nanométrique par traitement (photo)électrochimique dans l’ammoniac liquide (Patm, -55°C) conduisant à un film nitruré de type polyphosphazène. Ces recherches ont été valorisées par 2 brevets, 3 extensions à l’international, une ANR (EPINAL 2018-22) et un projet prématuration CNRS 2019, porté par EPI.
Publications récentes
Oxydes pérovskites
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Ingénierie chimique
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Contacts métalliques
Dans les composants électroniques, les interconnexions métalliques assurent le transport du courant et doivent présenter des résistivités de plus en plus faibles. Ces contraintes imposent une maîtrise parfaite des interfaces à l’échelle nanométrique. EPI étudie la stabilité et la réactivité chimique de films métalliques d’épaisseurs nanométriques (Cu, Co, Ni, …) d’un point de vue fondamental (société Aveni) mais aussi appliquées (société Linxens).
Vieillissement
Le vieillissement de matériaux absorbeurs solaires est étudié par l’équipe EPI, et plus particulièrement l’absorbeur Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). A l’aide d’une enceinte climatique, les différents facteurs clés responsables de la réactivité de la surface du CIGS ont été identifiés (humidité relative, illumination, température et nature de l’atmosphère) et leurs effets sur la surface du CIGS sont investigués.
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HEMT
Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT), en particulier la filière GaN, sont capables de fournir des puissances et rendements de plus en plus élevés, essentiels au développement des nouvelles technologies de communication. L’équipe EPI étudie les évolutions chimiques et structurales (collaboration C2N) s’opérant aux interfaces des dispositifs afin de comprendre les mécanismes à l’origine des dérives de comportements électriques (collaboration IEMN) conduisant à la défaillance de ces composants (projet DGA GREAT).
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Patrimoine
Dans le cas des objets de nature métallique, la compréhension de la formation des couches de produits de corrosion permet de remonter aux mécanismes de corrosion et de proposer des actions de préservation de ces objets du patrimoine. Pour relever cet enjeu majeur, notre équipe étudie la nature et l’imbrication des phases oxydées jusqu’à l’échelle déca-nanométrique (nano-Auger), qui constitue une information importante pour le développement de nouveaux traitements de protection (collaboration LAPA/NIMBE).